用于锂电池的30V负载开关MOSFET AON5802B

AON5802B采用先进的沟槽技术提供了出色的RDS(ON)，低栅极电荷，可在低至2.5V的栅极电压下工作，同时保持12V VGS(MAX)。ESD保护。由于共漏极的特点，该器件适合用作锂电池的一个单向或双向负载开关。低RDS(ON)，低栅极电荷
Typical ESD protection：HBM Class 3A