1000MHz射频功率MOSFET方案MRFE6S9045NR1

发布时间：2015/12/07 14:28 类型：成功案例

射频 MRFE6S9045NR1 NXP Semiconductors MOSFET

MRFE6S9045NR1专为频率达1000MHz的宽带商用和工业电子应用而设计，该器件的高增益和宽带性能使其非常适合28V基站设备中的大信号共源放大器应用。

方案概述

MRFE6S9045NR1专为频率达1000MHz的宽带商用和工业电子应用而设计，该器件的高增益和宽带性能使其非常适合28V基站设备中的大信号共源放大器应用。

核心优势

宽频带：频率覆盖0-1GHZ；
高增益：增益≥ 20dB
高线性：输出15W，互调≤-48dBC；
高功率：P-1功率可达到55W，
高功率：用于920-960MHz(GSM)频段时η≥68%(Pout=45W)

方案设计图

序号	型号	品牌
1	MRFE6S9045NR1	NXP Semiconductor