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450-1500MHz射频功率MOSFET方案MW6S010NR1

发布时间:2015/12/07 14:28           类型: 成功案例

MW6S010NR1和MW6S010GNR1专为频率达1500MHz的A类和AB类基站应用而设计,适合模拟和数字调制以及多载波放大应用。

方案概述
MW6S010NR1和MW6S010GNR1专为频率达1500MHz的A类和AB类基站应用而设计,适合模拟和数字调制以及多载波放大应用。
核心优势
  宽频带:450MHZ—1.5GHZ ;
  高增益:用于420MHz—470MHz频段增益高达20dB;
  高线性:Pout(Avg)=3W 且 互调可达到-45dBC ;
  高功率:P-1功率≥ 16.7W,P-3功率≥ 20.6W(Pulsed CW f=945MHz);
  设计广范: 功率回退时可满足各种峰均比信号的线性设计;
  抗静电:优异的抗静电防护能力
方案设计图

关键器件

序号 型号 品牌
1 MW6S010NR1 立即购买 NXP Semiconductor