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NB-IOT+FDD-LTE900M 100W功放方案

发布时间:2017/12/28 16:40           类型: 成功案例

NB-IOT+FDD-LTE900M 80W的RRU项目需要搭配功放出100W 2T/4R,推荐NXP 50V Lineup套片 A2T08VD020->A2V09H525-04NR5实现高效率>45%。

方案特性

  • NB-IOT+FDDLTE信号,925-960M频段,实现100W输出,同时效率达到45%,搭配DPD线性ACPR可以校正到-48dbc
  • 接收通道增益可达35dB,功率输出29dBm,噪声系数控制在2以内;
  • 并能实现过流、过压各种保护,能工作异常报警等;
  • 可以通过MCU对温度传感器的监控实现自动温度补偿。
  • A2V09H525-04NR6720-960M48V,高增益>18.9dBP-1525W,平均功率120W,采用非对称Doherty单管设计,效率高达55%
  • A2T08VD020NT150V功率高P1>20W,增益高达19.2,单管效率>21.1
  • 输入LNA BGU8051X,低噪声<0.43,高增益18dBP-1=19dBm,高性价比通用流行方案;

 

方案框图


应用领域
NB-IOT+FDD LTE900M100W,高功率高效率功放方案

 

典型应用场景

 技术支持服务

  • 样片或套片

注:如需要相应技术支持,请发电邮david.hu@cecport.com 告示您的详细需求。

 

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关键器件

序号 型号 品牌
1 A2T08VD020NT1 NXP
2 A2V09H525-04NR5 NXP
3 QMGA0020 Broadcom
4 AT24C32 Microchip Technology
5 SPX29302 Sipex