应用于NB-IoT的LDO方案

方案简介

• Onsemi 低压差，超低静态功耗LDO, Iq=500nA. 输出精度±1%.
• CMOS LDO, Ultra-Low IQ,SOT563小封装，输出精度±1%.

方案特性

• Vin=2.2v-5.5V,Vout=1.2v-3.6v, Iout(max)=150mA,low dropout,high accurqcy±1%.
• 2,LDO, Voltage conversion.
• 外围器件少，低压差高精度±1%. 待机功耗500nA,
• 内置过流保护和短路保护。

方案框图

 应用领域

• Lora,
• NB-IoT.
• 通信电源 

典型应用场景

 技术支持服务

• 样片或套片

注：如需要相应技术支持，请发电邮david.hu@cecport.com 告示您的详细需求。

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