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470-860MHz射频功率MOSFET方案MRF6V3090NBR1

发布时间:2015/12/07 14:28           类型: 成功案例

MRF6V3090NR1、MRF6V3090NBR1、MRF6V3090NR5和MRF6V3090NBR5专为频率470-860MHz的商用和工业宽带应用而设计,该器件适合于广播应用。

方案概述
MRF6V3090NR1、MRF6V3090NBR1、MRF6V3090NR5和MRF6V3090NBR5专为频率470-860MHz的商用和工业宽带应用而设计,该器件适合于广播应用。
核心优势
  宽频带:470MHz—860MHZ ;
  高增益: ≥ 22dB;
  高线性:输出 8W(Avg), 带肩比≤-30dBC;
  高功率:峰值功率≥115W ;
  抗静电:优异的抗静电防护能力
方案设计图

关键器件

序号 型号 品牌
1 MRF6V3090NBR1 NXP Semiconductor