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1000MHz射频功率MOSFET方案MRFE6S9045NR1

发布时间:2015/12/07 14:28           类型: 成功案例

MRFE6S9045NR1专为频率达1000MHz的宽带商用和工业电子应用而设计,该器件的高增益和宽带性能使其非常适合28V基站设备中的大信号共源放大器应用。

方案概述
MRFE6S9045NR1专为频率达1000MHz的宽带商用和工业电子应用而设计,该器件的高增益和宽带性能使其非常适合28V基站设备中的大信号共源放大器应用。
核心优势
  宽频带:频率覆盖0-1GHZ;
  高增益:增益≥ 20dB
  高线性:输出15W,互调≤-48dBC;
  高功率:P-1功率可达到55W,
  高功率:用于920-960MHz(GSM)频段时η≥68%(Pout=45W)
方案设计图

关键器件

序号 型号 品牌
1 MRFE6S9045NR1 NXP Semiconductor